職位描述
光刻工藝顯影工藝曝光工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé):
1、負(fù)責(zé)新型存儲器研發(fā)所需的先進(jìn)光刻工藝研發(fā)；
2、依據(jù)研發(fā)需求，制定光刻工藝的研發(fā)計劃，建立并優(yōu)化工藝條件，保障整體研發(fā)進(jìn)度；
3、依據(jù)工藝整合的需求，制定相關(guān)工藝規(guī)格，對工藝中存在的課題進(jìn)行攻關(guān)，拓展工藝窗口，提升產(chǎn)品良率及性能；
4、對存儲器先進(jìn)工藝前期預(yù)研，確定光刻技術(shù)路線。探索前沿光刻領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)展，研究多種光刻工藝方案，持續(xù)推進(jìn)存儲器產(chǎn)線光刻工藝的進(jìn)步；
5、引入和評估驗證新材料、新機(jī)臺、新功能，并降低工藝成本；
6、分析數(shù)據(jù)并總結(jié)和匯報研發(fā)進(jìn)展，撰寫相關(guān)論文和申請專利。
任職要求:
1.物理/光學(xué)/化工/微電子/材料等理工類相關(guān)專業(yè)碩士及以上學(xué)歷；
2.兩年以上邏輯或存儲半導(dǎo)體行業(yè)工作經(jīng)驗，有研發(fā)工作經(jīng)歷優(yōu)先；
3.熟悉半導(dǎo)體工藝流程與光刻工藝。熟悉光刻工藝中的工藝窗口優(yōu)化，光學(xué)臨近效應(yīng)修正，線寬和套刻的控制與改進(jìn)，光阻的評估與驗證；
4.較強(qiáng)的溝通表達(dá)能力、組織協(xié)調(diào)能力和團(tuán)隊合作精神。流暢的英文閱讀和寫作能力；
5.有期刊論文及專利申請經(jīng)驗者優(yōu)先。
6. 該崗位需要長期在安徽合肥出差，一年中有半年以上的時間會在合肥，其他時間在北京。五險一金繳納在北京。在合肥出差期間食宿公司承擔(dān)。
工作地點
北京通州區(qū)京東貝科技園(西南門)
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職位發(fā)布者
王雅璇/HR
三日內(nèi)活躍立即溝通
北京超弦存儲器研究院北京超弦存儲器研究院于2020年9月在北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)成立。作為產(chǎn)學(xué)研合作平臺，研究院聚焦國際先進(jìn)的存儲器技術(shù)研發(fā)和高端人才培養(yǎng)，致力于實現(xiàn)國產(chǎn)存儲器芯片制造技術(shù)的持續(xù)迭代，努力成長為世界存儲器芯片的技術(shù)創(chuàng)新高地。研究院的研究方向集中于DRAM制造技術(shù)的尺寸微縮，在DRAM新架構(gòu)、新材料、新工藝、先進(jìn)封裝、先進(jìn)光刻技術(shù)、近存計算和高帶寬存儲等領(lǐng)域，對未來DRAM量產(chǎn)技術(shù)可能存在的主要路徑開展系統(tǒng)的工藝研發(fā)和設(shè)計-制造協(xié)同優(yōu)化。目前主要的研究項目包括4F2垂直圍柵晶體管動態(tài)隨機(jī)存儲器、銦鎵鋅氧場效應(yīng)晶體管動態(tài)隨機(jī)存儲器、橫向堆疊單元存儲器、垂直圍柵晶體管磁存儲器等基于新器件結(jié)構(gòu)的存儲器制造技術(shù)；基于混合鍵合技術(shù)的高帶寬存儲器芯片和近存計算、存內(nèi)計算等芯片的設(shè)計和制造；以及先進(jìn)DRAM制造中的關(guān)鍵光刻技術(shù)和設(shè)計技術(shù)方法學(xué)研究等。研究院擁有12英寸先進(jìn)DRAM研發(fā)所需的硬件條件，包括傳統(tǒng)的1X DRAM全流程基礎(chǔ)工藝和一系列由特種裝備構(gòu)成的短流程特色工藝；設(shè)計制造協(xié)同優(yōu)化所需的軟件平臺；以及具有豐富的芯片工藝和設(shè)計研發(fā)經(jīng)驗的技術(shù)團(tuán)隊。研究院與清華大學(xué)、北京大學(xué)、中國科學(xué)院微電子研究所等國內(nèi)外領(lǐng)先的高校院所和集成電路行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系，開展基于項目的研發(fā)合作。同時，研究院與上述三家院所在人才聯(lián)合培養(yǎng)方面開展了系統(tǒng)而緊密的合作，為產(chǎn)業(yè)研究生的培養(yǎng)提供了研發(fā)和實訓(xùn)平臺。
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