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崗位職責(zé)： 1.主導(dǎo)BSI CIS工藝平臺(tái)的設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和優(yōu)化，包括像素結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、光路優(yōu)化、背照式工藝整合等。 2.解決關(guān)鍵工藝難題（如硅片減薄、晶圓鍵合/解鍵合、深槽隔離、低損傷刻蝕等）。 3.負(fù)責(zé)CIS相關(guān)新工藝和新技術(shù)的研究并不斷優(yōu)化現(xiàn)有工藝平臺(tái)； 4.與設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)合作完成像素架構(gòu)和電路協(xié)同優(yōu)化（如PD、TG、FD等結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)）。 5.負(fù)責(zé)LOT流片，WAT數(shù)據(jù)分析和DOE實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)，分析良率損失原因，提出改進(jìn)方案并實(shí)施。 6.完善CIS工藝特殊管控措施的建立和落實(shí)； 7.負(fù)責(zé)客戶新產(chǎn)品的導(dǎo)入與開(kāi)發(fā)； 8.負(fù)責(zé)微透鏡和彩色濾光片等外協(xié)加工廠商的對(duì)接； 9.制定工藝規(guī)范，推動(dòng)工藝從研發(fā)到量產(chǎn)的轉(zhuǎn)移。 10.跟蹤BSI CIS技術(shù)趨勢(shì)（如堆疊式CIS、3D集成等），規(guī)劃下一代工藝路線。 任職要求： 1.學(xué)歷要求：本科及以上學(xué)歷，微電子、物理、化學(xué)、材料、電氣等理工科相關(guān)專業(yè)，具有半導(dǎo)體物理及器件物理、集成電路制造等相關(guān)知識(shí)儲(chǔ)備； 2.工作經(jīng)驗(yàn)： （1）5年以上半導(dǎo)體工藝開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)，至少3年BSI CIS專項(xiàng)經(jīng)驗(yàn)（55nm及以下節(jié)點(diǎn)優(yōu)先）。 （2）熟悉BSI CIS全流程工藝（如：前照式轉(zhuǎn)背照式工藝、硅通孔TSV、微透鏡陣列等）。 （3）有55nm/40nm等成熟節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先。 3.專業(yè)技能： （1）熟悉FSI，BSI，Stack等不同的CIS工藝流程； （2）熟悉BSI CIS專利布局，能規(guī)避技術(shù)侵權(quán)風(fēng)險(xiǎn)； （3）熟悉CIS產(chǎn)品參數(shù)測(cè)試方法和判斷標(biāo)準(zhǔn)； （4）熟悉CIS工藝特殊管控的措施和注意事項(xiàng)； （5）熟悉產(chǎn)品開(kāi)發(fā)流程，了解行業(yè)上下游供應(yīng)鏈的主要供應(yīng)商； （6）熟練掌握項(xiàng)目管理方法，具備出色的團(tuán)隊(duì)協(xié)作精神與溝通能力； 4.語(yǔ)言能力： 具備很好的英語(yǔ)聽(tīng)說(shuō)寫(xiě)能力