北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司是中國電科產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)研究院下屬子公司。公司位于北京市順義區(qū)文良街15號，占地面積2.81萬平方米，建筑面積7.1萬平方米。公司主營業(yè)務(wù)為第三代半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅芯片、器件的設(shè)計、生產(chǎn)與銷售。國聯(lián)萬眾擁有一批從事核心材料、芯片、封裝等領(lǐng)域的專業(yè)人才和團隊，擁有核心專利和專有技術(shù)，氮化鎵射頻功放芯片達到國際領(lǐng)先水平，并已在世界主流通信公司得到規(guī)模應(yīng)用；碳化硅二極管和MOSFET產(chǎn)品技術(shù)水平國際先進水平，并已在新能源汽車上開始批量應(yīng)用。

公司同時擁有國家“雙創(chuàng)”支撐平臺、眾創(chuàng)空間、中關(guān)村硬科技孵化平臺、北京市科技企業(yè)孵化器等資質(zhì)，是國家第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新技術(shù)中心（北京）主要建設(shè)和運營單位。主要業(yè)務(wù)為第三代半導(dǎo)體工藝、封裝檢測、可靠性檢測以及科技服務(wù)。