職位描述
電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé)：
1、氮化鎵HEMT外延新工藝菜單的開發(fā)、導(dǎo)產(chǎn)；
2、外延機(jī)臺(tái)量產(chǎn)良率的提升、維持，參與突發(fā)工藝異常的解決；
3、外延技術(shù)部相關(guān)制度文件的編制、SOP的編寫、操作員的培訓(xùn)；
4、參與崗位相關(guān)事項(xiàng)的跨部門溝通、外部客戶或合作伙伴的技術(shù)對(duì)接等；
5、上級(jí)領(lǐng)導(dǎo)安排的其他事宜。
任職要求：
1、本科及以上學(xué)歷，電子、機(jī)電、物理、化學(xué)、化工、材料等工程相關(guān)學(xué)科；
2、5-8年工作經(jīng)驗(yàn)；
3、熟悉氮化鎵HEMT外延相關(guān)的量測(cè)手段，并能熟練使用XRD、HALL、AFM、PL等量測(cè)設(shè)備，有硅基氮化鎵外延開發(fā)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先。
工作地點(diǎn)
徐州賈汪區(qū)江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司
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江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司成立于2021年，是香港上市公司宏光半導(dǎo)體投資的全資子公司。項(xiàng)目發(fā)起人為氮化鎵領(lǐng)域領(lǐng)軍人物，以業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵功率器件和其全新應(yīng)用為拳頭產(chǎn)品，充分發(fā)揮國(guó)際領(lǐng)先的6-8寸硅基氮化鎵功率器件全套生產(chǎn)制造技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，匯集供應(yīng)鏈資源、核心技術(shù)、產(chǎn)品制造、核心客戶、資本市場(chǎng)和地方政府支持等關(guān)鍵資源，組織籌建新型的IDM產(chǎn)品平臺(tái)，助力中國(guó)在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。公司租賃原晶旺光電生產(chǎn)車間約7000平方米、辦公樓約2600平方米。建設(shè)2條氮化鎵功率器件芯片生產(chǎn)中試線，用于研發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵外延片、功率器件芯片及其相關(guān)應(yīng)用。已經(jīng)投資3.3億元，其中2億元用于廠房升級(jí)改造和設(shè)備采購(gòu)，包括金屬有機(jī)化合物氣相沉積系統(tǒng)、全自動(dòng)光刻機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、涂膠顯影機(jī)、干法刻蝕機(jī)等設(shè)備200余臺(tái)套，年生產(chǎn)氮化鎵功率器件芯片8000萬(wàn)顆。公司核心團(tuán)隊(duì)結(jié)合了掌握氮化鎵工藝核心技術(shù)的美國(guó)團(tuán)隊(duì)和具有豐富的硅集成電路生產(chǎn)管理經(jīng)驗(yàn)的臺(tái)灣團(tuán)隊(duì)，擁有全面駕馭產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)發(fā)展的實(shí)力。公司將依托核心團(tuán)隊(duì)對(duì)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片工藝、封裝測(cè)試、模組系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，以及國(guó)際半導(dǎo)體企業(yè)成熟的管理體系相結(jié)合，建立氮化鎵功率芯片國(guó)產(chǎn)化的技術(shù)開發(fā)平臺(tái)。
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