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招聘要求： 一、學(xué)歷與專業(yè)： 1.碩士研究生及以上學(xué)歷，材料科學(xué)、微電子、半導(dǎo)體物理、光學(xué)工程、機械制造等相關(guān)專業(yè)（應(yīng)屆生可投，需具備半導(dǎo)體材料或工藝研究背景）； 2.本科學(xué)歷需具備2-3年以上半導(dǎo)體/光學(xué)元件研磨拋光領(lǐng)域工作經(jīng)驗，熟悉CMP工藝或超精密加工技術(shù)者優(yōu)先。 二、專業(yè)技能： 1.精通半導(dǎo)體材料特性及研磨拋光核心工藝（如CMP、超精密加工），掌握關(guān)鍵設(shè)備（如研磨機、拋光機、測厚儀）操作與調(diào)試； 2.了解紅外探測器工作原理及光學(xué)元件表面粗糙度、面型精度等關(guān)鍵指標(biāo)，熟悉紅外探測器全工藝流程，能系統(tǒng)性分析工藝間交互影響（如研磨精度對鍍膜均勻性的影響）； 3.熟練使用SEM、AFM、白光干涉儀等檢測設(shè)備進(jìn)行表面質(zhì)量分析。 4.具備英文文獻(xiàn)閱讀能力（CET-4或同等水平），能快速理解技術(shù)資料并應(yīng)用于研發(fā)實踐。 三、經(jīng)驗要求： 1.有半導(dǎo)體晶圓、紅外材料加工經(jīng)驗者優(yōu)先； 2.參與過工藝改進(jìn)項目或具備DOE實驗設(shè)計能力者優(yōu)先。 四、軟性素質(zhì)： 研發(fā)導(dǎo)向：目標(biāo)清晰，具備技術(shù)前瞻性，能獨立制定研發(fā)計劃并推動落地； 嚴(yán)謹(jǐn)心細(xì)：對工藝細(xì)節(jié)敏感，嚴(yán)格遵循研發(fā)規(guī)范，確保數(shù)據(jù)真實性和可重復(fù)性。