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崗位職責(zé) 1. 測(cè)試系統(tǒng)開發(fā)與優(yōu)化 - 主導(dǎo)功率半導(dǎo)體（如IGBT、SiC器件、MOSFET等）的測(cè)試方案設(shè)計(jì)，包括靜態(tài)參數(shù)（Vth、Rds(on)）、動(dòng)態(tài)參數(shù)（開關(guān)損耗、柵極電荷）、可靠性測(cè)試（HTRB、H3TRB）。 - 開發(fā)自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)（LabVIEW、Python或C#），整合設(shè)備（示波器、源表、熱臺(tái)）并優(yōu)化測(cè)試流程。 2. 制定測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范（如AEC-Q101、JEDEC），確保數(shù)據(jù)可追溯性。 3. 測(cè)試問題分析與改進(jìn) - 分析測(cè)試數(shù)據(jù)（如Wafer/封裝級(jí)測(cè)試良率），定位失效原因（如熱阻、雪崩耐量），推動(dòng)設(shè)計(jì)或工藝改進(jìn)。 - 主導(dǎo)DOE實(shí)驗(yàn)，提升測(cè)試效率（如縮短Cycle Time）。 4. 新測(cè)試技術(shù)研究， 跟蹤寬禁帶半導(dǎo)體（SiC/GaN）的高壓/高頻測(cè)試需求，評(píng)估新型設(shè)備（動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試儀、雙脈沖測(cè)試平臺(tái)）。