崗位職責:
1. 進行基于DRAM制程的HKMG工藝平臺整合研發(fā)工作。與Design和Device Team根據(jù)高性能DRAM的產(chǎn)品需求,提煉出對器件的關(guān)鍵尺寸要求,電性要求和可靠性要求;領(lǐng)導Device以及Module等研發(fā)部門通過技術(shù)創(chuàng)新,新機臺引進,開發(fā)出適用于DRAM工藝平臺high thermal budget特點的器件。
2. 開發(fā)HKMG 工藝的PDK (Design Rule, EDR, Device Model…) 應用到N ,N+1, N+2 代DRAM 平臺,同時整合優(yōu)化制程與前后道工藝實現(xiàn)兼容,最終實現(xiàn)高速低漏電的電學性能,高可靠性的終端產(chǎn)品要求。
3. 新產(chǎn)品導入以及良率提升。 從與design合作開始參與新產(chǎn)品設(shè)計評估;與tape out team 合作設(shè)計testkey, tape out光罩;與制程和生產(chǎn)部門合作pilot run;不斷進行工藝整合的優(yōu)化升級,提升電學性能,可靠性能以及良率
任職要求:
1.碩士及以上學歷,微電子、集成電路、化學、物理、材料等相關(guān)專業(yè)。
2.有扎實的半導體器件物理基礎(chǔ)知識。
3.至少3年以上PI、 PE、YE相關(guān)經(jīng)驗。
4.理解復雜的問題,推導、解釋為解決這些問題而采取的行動,并推動團隊執(zhí)行。
5.熟悉Excel數(shù)據(jù)處理,對C++程序有基本了解。