一、崗位職責(zé)??
1.負(fù)責(zé)LED外延磊晶工藝(MOCVD)的工藝設(shè)計(jì)、參數(shù)調(diào)試及量產(chǎn)優(yōu)化,提升外延片亮度、均勻性及良率。
2.主導(dǎo)GaAs外延材料的生長(zhǎng)實(shí)驗(yàn),解決晶格失配、應(yīng)力控制等關(guān)鍵技術(shù)問(wèn)題。
3.分析外延片性能(XRD等測(cè)試),優(yōu)化材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),推動(dòng)太陽(yáng)能電池、可見光激光led等新應(yīng)用領(lǐng)域外延技術(shù)研發(fā)。
4.負(fù)責(zé)LED芯片前段工藝(黃光光刻、蒸鍍?yōu)R射、鍍膜、干刻等)及后端工藝(研磨、切割、ODR、測(cè)試分選等)的改進(jìn)優(yōu)化。
5.解決芯片制程中的異常問(wèn)題(如光刻異常、蒸鍍異常等良率波動(dòng)),制定工藝SOP并推動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)化。
6.參與芯片可靠性測(cè)試,優(yōu)化失效分析流程,提升產(chǎn)品穩(wěn)定性。
??7.負(fù)責(zé)新產(chǎn)品導(dǎo)產(chǎn),提供工藝可行性分析及良率提升方案。
8.編寫技術(shù)文檔(實(shí)驗(yàn)報(bào)告、專利、技術(shù)規(guī)范),參與項(xiàng)目申報(bào)及技術(shù)成果轉(zhuǎn)化。
??9.協(xié)助培養(yǎng)工藝技術(shù)骨干,提升團(tuán)隊(duì)技術(shù)能力。
11.負(fù)責(zé)工藝技術(shù)創(chuàng)新立項(xiàng)管理,實(shí)現(xiàn)降本增效。
二、任職要求??
??1.本科及以上學(xué)歷,碩士?jī)?yōu)先,半導(dǎo)體物理、凝聚態(tài)、微電子、光電工程等相關(guān)專業(yè)。
??2.3年以上LED外延端或2年以上芯片端工藝經(jīng)驗(yàn)。
3.熟悉MOCVD(Aixtron)、ICP干刻、STEP或尼康光刻機(jī)等設(shè)備。
??4.精通外延材料分析(點(diǎn)In、XRD)及芯片電性測(cè)試(IV曲線)。
5.熟練使用AutoCAD/SEMulator3等設(shè)計(jì)工具,掌握Python/Matlab進(jìn)行工藝數(shù)據(jù)分析。
??6.具備獨(dú)立問(wèn)題解決能力及跨部門協(xié)作意識(shí),適應(yīng)高強(qiáng)度技術(shù)攻關(guān)環(huán)境。
8.有專利/論文發(fā)表、同行研發(fā)或工藝工作經(jīng)歷者優(yōu)先。