崗位職責:
1、負責SiC基功率器件(MOS、SBD)的工藝開發(fā)、調(diào)試及加工工作;
2、協(xié)同完成器件設(shè)計、封裝等設(shè)計環(huán)節(jié)的工藝設(shè)計相關(guān)工作;
3、負責對SiC基功率器件的加工工藝問題進行跟進、分析及驗證,解決工藝問題。
任職要求:
1、本科及以上學歷,半導體物理、微電子、材料等相關(guān)專業(yè);
2、3年以上SiC基半導體工作經(jīng)驗,熟悉刻蝕、柵氧、離子注入或者金屬化相關(guān)工藝,精通某項工藝經(jīng)驗者優(yōu)先;
3、工作認真嚴謹,具備較強的責任心,注重細節(jié);
4、樂于接受新事物,具備較強的學習能力及團隊意識。