北京碳基集成電路研究院為北京市和北京大學(xué)共建的面向后摩爾時代集成電路技術(shù)的新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院以中國科學(xué)院院士、北京大學(xué)教授彭練矛團(tuán)隊為核心，以打造碳基集成電路原始創(chuàng)新、工程開發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、產(chǎn)業(yè)生態(tài)創(chuàng)新鏈為核心，發(fā)揮核心芯片技術(shù)引領(lǐng)優(yōu)勢、北京市政策資源優(yōu)勢、北京大學(xué)學(xué)科人才優(yōu)勢，通過長期穩(wěn)定的支持，形成國際領(lǐng)先的碳基集成電路研發(fā)、生產(chǎn)能力，在碳基集成電路領(lǐng)域產(chǎn)出多項重大原始創(chuàng)新成果。研究院發(fā)展了完整的碳基集成電路技術(shù)，實現(xiàn)了性能接近量子極限的碳基晶體管、三維光電集成系統(tǒng)，有望將集成電路技術(shù)推進(jìn)到3納米節(jié)點(diǎn)以下，實現(xiàn)速度更快、功耗更低、集成度更高的新型碳基集成電路芯片，推動未來信息技術(shù)的發(fā)展。

研究院坐落于北京市海淀區(qū)益園文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)園區(qū)，建成了國際上首條4英寸碳納米管芯片研發(fā)工藝線，具備完整微加工設(shè)備，主要設(shè)備包括光刻設(shè)備、電子束蒸發(fā)鍍膜儀、磁控濺射鍍膜儀、ICP刻蝕設(shè)備、原子層沉積設(shè)備、ICP-CVD沉積設(shè)備、熱退火設(shè)備，以及測試探針臺和電學(xué)測量儀器等。研究院重視人才發(fā)掘和培養(yǎng)，已形成了一支碳基芯片領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人才隊伍，具備從碳納米管材料制備、電路設(shè)計、電路流片到封裝測試的完整碳基集成電路研發(fā)技術(shù)能力，先后承擔(dān)了國家和北京市的多個碳基集成電路方向的重大科技項目。研究院也積極與京東方、華為、燕東微電子等開展合作和交流，促進(jìn)了國內(nèi)產(chǎn)學(xué)研用技術(shù)交流和融合，進(jìn)一步推動碳基集成電路技術(shù)實用化進(jìn)程。