1956年，在我國十二年科學技術發(fā)展遠景規(guī)劃中，半導體科學技術被列為當時國家新技術四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導體科學技術的研究發(fā)展基地，國家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所（以下簡稱半導體所），開啟了中國半導體科學技術的發(fā)展之路。

半導體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心；三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯(lián)合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導體所區(qū))；兩個院級實驗室(中心)—中科院半導體材料科學重點實驗室和中科院固態(tài)光電信息技術重點實驗室。此外，還設有半導體集成技術工程研究中心、光電子研究發(fā)展中心、半導體照明研發(fā)中心、高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡實驗室、納米光電子實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室和元器件檢測中心。

半導體所現(xiàn)有職工700余名。其中科技人員約480余名。包括中國科學院院士9名，中國工程院院士2名，高層次引進人才計劃30人，國家“萬人計劃”入選者6人，國家杰出青年科學基金獲得者20人，“百千萬人才工程”入選者11人，其中黃昆院士榮獲2001年國家最高科學技術獎。設有3個博士后流動站，4個一級學科博士培養(yǎng)點，2個專業(yè)學位授權點。

半導體所高度重視國內(nèi)外交流合作，與地方政府、科研機構、大學和企業(yè)等共建了近40個聯(lián)合實驗室，積極為企業(yè)和區(qū)域經(jīng)濟社會發(fā)展服務。同時積極開展多層次、全方位的國際學術交流與合作，成績顯著，科學技術部和國家外國專家局批準成立“國家級國際聯(lián)合研究中心”。并且以自主知識產(chǎn)權的專利和專有技術投資，融合社會資本建立了10余家高技術企業(yè)，并實施科研成果轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實生產(chǎn)力，已初步形成產(chǎn)業(yè)化、商品化規(guī)模。

半導體所秉承“兩個卓越”和“三個推動”的辦所理念，奮斗不息，勇攀高峰，取得了快速發(fā)展，研究所現(xiàn)已發(fā)展成為集半導體物理、材料、器件研究及其系統(tǒng)集成應用于一體的國家級半導體科學技術的綜合性研究機構。

半導體所的中長期發(fā)展戰(zhàn)略目標是：開展與國家發(fā)展密切相關的、世界科技前沿的基礎性、前瞻性、戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新活動，為發(fā)展我國的高新技術提供源源不斷的動力；以國家重大需求為導向，開展前沿基礎和應用技術研究，為國家科技發(fā)展提供支撐，并為相關行業(yè)的技術進步作出貢獻；吸引、聚集和培養(yǎng)國際一流人才；建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平臺，實現(xiàn)科技創(chuàng)新能力的跨越和持續(xù)發(fā)展，成為引領我國半導體科學技術發(fā)展的火車頭。