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1.負(fù)責(zé)基于LDMOS、GaN工藝的射頻大功率器件的射頻性能評估； 2.獨立完成射頻器件的Demo 設(shè)計，原理圖和PCB的繪制、并具有一定的創(chuàng)新能力； 3.負(fù)責(zé)解決產(chǎn)品開發(fā)和測試過程中出現(xiàn)的技術(shù)問題； 4.負(fù)責(zé)評估射頻器件的直流參數(shù)、射頻參數(shù)、產(chǎn)品開發(fā)方案的編制和執(zhí)行； 5.獨立完成公司產(chǎn)品的功能、性能、可靠性、行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)等測試驗證，能快速準(zhǔn)確的完成方案中射頻電路設(shè)計； 6. 參與芯片研發(fā)流程和產(chǎn)品定義需求，從應(yīng)用方案角度提供建議和技術(shù)支持 。

任職資格：

1.通信、電子、微電子相關(guān)專業(yè)，碩士及以上學(xué)歷；

2.3年及以上相關(guān)工作經(jīng)驗；

3.溝通能力強(qiáng)，具有高度責(zé)任心和團(tuán)隊合作精神；

4.有強(qiáng)烈的進(jìn)取心，有抗壓能力。