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（一）鋰電銅箔方向 崗位要求： 1.開展高抗高延鋰電銅箔產(chǎn)品（4.5μm、5μm為主）的新技術(shù)研發(fā)、改進(jìn)、測(cè)試及小批量驗(yàn)證，；并同步開展確定所研發(fā)產(chǎn)品的技術(shù)參數(shù)、產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)及產(chǎn)品生產(chǎn)控制要求； 2.產(chǎn)品開發(fā)文件制作及對(duì)生產(chǎn)的培訓(xùn)，確保產(chǎn)品的穩(wěn)定性； 3.產(chǎn)品研發(fā)技術(shù)問(wèn)題的攻關(guān)和解決，知識(shí)共享及傳遞。 任職資格: 1．本科及以上學(xué)歷，理工科專業(yè)背景，金屬材料、電化學(xué)專業(yè)優(yōu)先； 2．對(duì)鋰電銅箔技術(shù)熟練，有高抗高延的研發(fā)或已成型的產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)驗(yàn)； （二）電子電路銅箔方向 崗位要求： 1.主要負(fù)責(zé)HVLP-Ⅱ/Ⅲ/Ⅳ、RTF-Ⅲ/Ⅳ、載體銅箔、復(fù)合銅箔等電解銅箔領(lǐng)域高端產(chǎn)品的研發(fā)工作； 2.解決高頻高速基板用銅箔的剝離強(qiáng)度與信號(hào)傳輸損耗矛盾問(wèn)題； 3.開發(fā)表面輪廓≤1.5/≤1.0μm的HVLP-Ⅲ/Ⅳ銅箔，優(yōu)化電解液添加劑（如硫脲衍生物）與陰極輥拋光工藝； 4.開發(fā)超薄載體銅箔（≤3μm）的剝離轉(zhuǎn)移技術(shù)，攻克載體層與功能層界面氧化難題； 5.跟蹤競(jìng)品技術(shù)動(dòng)向，針對(duì)性規(guī)劃專利壁壘（每年申請(qǐng)≥2項(xiàng)發(fā)明專利） 任職資格: 1．本科及以上學(xué)歷，理工科專業(yè)背景，金屬材料、電化學(xué)專業(yè)優(yōu)先； 2．對(duì)電子電路銅箔技術(shù)熟練，有HVLP的研發(fā)或已成型的產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)驗(yàn)；