職位描述
鍍膜工藝電子/半導(dǎo)體/集成電路
崗位職責(zé)：
1、負(fù)責(zé)半導(dǎo)體樣品表面清潔，E-Beam/PVD蒸金屬，RTP快速退火，PECVD/ALD薄膜制造工藝及日常維護(hù)，解決在線工藝問(wèn)題；
2、器件工藝研發(fā)，開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品工藝，歐姆接觸工藝，表面鈍化工藝，與外延工藝部門(mén)合作改善，提高產(chǎn)品成品率；
3、收集和記錄實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，并進(jìn)行分析，提交實(shí)驗(yàn)報(bào)告和相關(guān)技術(shù)文檔；
4、負(fù)責(zé)編制相關(guān)工藝的技術(shù)規(guī)范、工藝文件及檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)；
5、負(fù)責(zé)器件工藝的操作工培訓(xùn)，對(duì)生產(chǎn)線進(jìn)行技術(shù)指導(dǎo)；
6、協(xié)助部門(mén)主管對(duì)本部門(mén)的工藝線生產(chǎn)管理。
任職要求：
1、本科以上學(xué)歷，物理，化學(xué)，材料，光電子，微電子及相關(guān)專業(yè)；
2、兩年以上半導(dǎo)體凈化室的工藝制造工作經(jīng)驗(yàn)，熟悉半導(dǎo)體器件制造相關(guān)工藝流程和原理；
3、掌握器件工藝流程，需具有設(shè)備操作和使用的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)；
4、有氮化鎵歐姆接觸經(jīng)驗(yàn)或PECVD沉積SiO2/Si3N4經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
5、具有高度的責(zé)任心、很強(qiáng)的團(tuán)隊(duì)意識(shí)、創(chuàng)新意識(shí)，具有良好的抗壓能力、學(xué)習(xí)能力、溝通能力和表達(dá)能力；
6、誠(chéng)實(shí)正直，善于思考，做事嚴(yán)謹(jǐn)，可接受適當(dāng)加班。
工作地點(diǎn)
徐州賈汪區(qū)江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司
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職位發(fā)布者
祁霄霄/HR
三日內(nèi)活躍立即溝通
江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司江蘇鎵宏半導(dǎo)體有限公司成立于2021年，是香港上市公司宏光半導(dǎo)體投資的全資子公司。項(xiàng)目發(fā)起人為氮化鎵領(lǐng)域領(lǐng)軍人物，以業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的氮化鎵功率器件和其全新應(yīng)用為拳頭產(chǎn)品，充分發(fā)揮國(guó)際領(lǐng)先的6-8寸硅基氮化鎵功率器件全套生產(chǎn)制造技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，匯集供應(yīng)鏈資源、核心技術(shù)、產(chǎn)品制造、核心客戶、資本市場(chǎng)和地方政府支持等關(guān)鍵資源，組織籌建新型的IDM產(chǎn)品平臺(tái)，助力中國(guó)在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的跨越式發(fā)展。公司租賃原晶旺光電生產(chǎn)車間約7000平方米、辦公樓約2600平方米。建設(shè)2條氮化鎵功率器件芯片生產(chǎn)中試線，用于研發(fā)和生產(chǎn)氮化鎵外延片、功率器件芯片及其相關(guān)應(yīng)用。已經(jīng)投資3.3億元，其中2億元用于廠房升級(jí)改造和設(shè)備采購(gòu)，包括金屬有機(jī)化合物氣相沉積系統(tǒng)、全自動(dòng)光刻機(jī)、等離子體刻蝕機(jī)、涂膠顯影機(jī)、干法刻蝕機(jī)等設(shè)備200余臺(tái)套，年生產(chǎn)氮化鎵功率器件芯片8000萬(wàn)顆。公司核心團(tuán)隊(duì)結(jié)合了掌握氮化鎵工藝核心技術(shù)的美國(guó)團(tuán)隊(duì)和具有豐富的硅集成電路生產(chǎn)管理經(jīng)驗(yàn)的臺(tái)灣團(tuán)隊(duì)，擁有全面駕馭產(chǎn)業(yè)和市場(chǎng)發(fā)展的實(shí)力。公司將依托核心團(tuán)隊(duì)對(duì)第三代半導(dǎo)體氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片工藝、封裝測(cè)試、模組系統(tǒng)等關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，以及國(guó)際半導(dǎo)體企業(yè)成熟的管理體系相結(jié)合，建立氮化鎵功率芯片國(guó)產(chǎn)化的技術(shù)開(kāi)發(fā)平臺(tái)。
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