1、熟練掌握TFE工藝流程并能夠快速分析并處理TFE相關(guān)的不良解析,進而推動不良改善,制定工藝管控標準;
2、承接柔性顯示產(chǎn)品TFE封裝CVD段工藝的開發(fā)與優(yōu)化,負責(zé)CVD工藝Design rule的維護與精進;
3、參與TFE封裝相關(guān)的新技術(shù)開發(fā)項目,統(tǒng)籌評估新開發(fā)TFE設(shè)備的量產(chǎn)兼容性指標(機臺的容忍度,工藝window可行性,相關(guān)defect風(fēng)險評估,良率等),協(xié)助推動相關(guān)量產(chǎn)導(dǎo)入工作;
4、進行TFE封裝相關(guān)新技術(shù)的調(diào)研,配合推動新技術(shù)開發(fā)項目的立項與執(zhí)行工作,根據(jù)工藝流程結(jié)果,對設(shè)備設(shè)計研發(fā)提供建議。
任職要求:
1、了解TFE知識,需精通低溫PECVD工藝以及配套的薄膜光學(xué)&力學(xué)性能表征手段,能基于特定的薄膜特性需求獨立完成對應(yīng)的recipe優(yōu)化,且對OLED蒸鍍工藝、CVD mask設(shè)計等有一定了解;具備5年以上CVD經(jīng)驗;
2、碩士或博士學(xué)歷,本科學(xué)歷需5年以上相關(guān)工作經(jīng)驗,具有柔性O(shè)LED面板廠3年以上SiN、SiO等相關(guān)工藝開發(fā)經(jīng)驗者優(yōu)先;
3、較強的不良分析及處理能力;參與過不良改善專項,熟悉CVD和TFE相關(guān)不良;
4、可以獨立完成相應(yīng)實驗條件建設(shè),完成實驗數(shù)據(jù)收集分析,對recipe成膜時間做輕微調(diào)整;
5、.熟悉CVD(APCVD, PECVD TFE)工藝開發(fā)流程,具備良好的工藝recipe開發(fā)能力,能夠針對性地編寫沉積recipe;特別是熟悉 SiON, SiO2 以及 SiNx 的工藝條件,具備獨立開發(fā)相應(yīng) recipe 的能力更優(yōu)先考慮,可以放寬條件。
6、溝通能力強,善于串接及整合跨部門資源,推動問題改善;有主導(dǎo)過技術(shù)開發(fā)項目者優(yōu)先。