職位描述
半導(dǎo)體材料研發(fā)元器件芯片
崗位內(nèi)容：
1、 針對(duì)碳化硅材料運(yùn)用領(lǐng)域研究；
2、 負(fù)責(zé)碳化硅外延生長(zhǎng)技術(shù)（包括晶體生長(zhǎng)、CVD薄膜生長(zhǎng)）的研發(fā)與工藝改進(jìn)，優(yōu)化現(xiàn)場(chǎng)作業(yè)流程，提升生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量； 3、研究碳化硅芯片/器件在上下游產(chǎn)業(yè)鏈中的應(yīng)用，分析客戶需求與行業(yè)動(dòng)態(tài)，推動(dòng)產(chǎn)品與市場(chǎng)需求的精準(zhǔn)匹配；
4、主導(dǎo)碳化硅外延工藝研發(fā)，負(fù)責(zé)外延設(shè)備的日常維護(hù)、Recipe參數(shù)設(shè)定與優(yōu)化，確保工藝穩(wěn)定性和設(shè)備高效運(yùn)行；
5、通過(guò)工藝優(yōu)化與流程改進(jìn)，持續(xù)提升產(chǎn)品良率及成品率，降低生產(chǎn)成本；
6、研究并引入外延工藝新技術(shù)，主導(dǎo)新產(chǎn)品試制及新工藝的量產(chǎn)導(dǎo)入；
7、負(fù)責(zé)碳化硅外延生產(chǎn)計(jì)劃的制定與執(zhí)行，優(yōu)化生產(chǎn)時(shí)序安排，解決工藝異常問(wèn)題；
8、跟蹤外延片性能數(shù)據(jù)，進(jìn)行分析與改善，形成標(biāo)準(zhǔn)化報(bào)告。
崗位要求：
研發(fā)工程師
1、碩士及以上學(xué)歷，專業(yè)要求材料、機(jī)械、物理、微電子、化工或其他半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)；有2年以上工作經(jīng)驗(yàn)，學(xué)歷可放寬至本科學(xué)歷；
2、具有1年以上的半導(dǎo)體材料加工、晶圓室溫鍵合或臨時(shí)鍵合工藝相關(guān)經(jīng)驗(yàn)；
3、熟悉離子注入(Ion Implantation)或晶圓剝離(Wafer Exfoliation)技術(shù)；
4、有碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料制備或鍵合經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先；
5、有離子注入工藝模擬軟件（如SRIM、 Sentaurus）使用經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先；
6、熟悉中試線或量產(chǎn)線工藝流程者優(yōu)先。
研發(fā)工程師（外延）
1、碩士及以上學(xué)歷，專業(yè)要求材料、機(jī)械、物理、微電子、化工或其他半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)；有2年以上工作經(jīng)驗(yàn)，學(xué)歷可放寬至本科學(xué)歷；
2、具有1年以上的碳化硅半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計(jì)、研發(fā)等一線經(jīng)驗(yàn)（研究生課題方向或工作經(jīng)歷均可）；
3、具有扎實(shí)的碳化硅功率器件、半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制作相關(guān)的理論基礎(chǔ)；
4、能夠獨(dú)立完成碳化硅功率器件的設(shè)計(jì)和調(diào)試者優(yōu)先。
研發(fā)工程師（磨拋）
1、本科及以上學(xué)歷，專業(yè)要求材料、機(jī)械、物理、微電子、化工或其他半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)；
2、具有1年以上的硬脆材料的研磨拋光（MP、CMP和減?。┕ぷ鹘?jīng)驗(yàn)；
3、有半導(dǎo)體薄膜沉積（PVD/CVD）或反應(yīng)離子刻蝕(RIE)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先。
研發(fā)工程師（檢測(cè)）
1、本科及以上學(xué)歷，專業(yè)要求材料、機(jī)械、物理、微電子、化工或其他半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)；
2、具有1年以上的化合物半導(dǎo)體晶片的檢測(cè)工作經(jīng)驗(yàn)；
3、有使用二次離子質(zhì)譜（SIMS）分析薄膜層的摻雜濃度與均勻性或使用X射線衍射（XRD）評(píng)估剝離后的晶圓表面質(zhì)量與缺陷的經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先。
研發(fā)工程師（清洗）
1、大專及以上學(xué)歷，專業(yè)要求材料、機(jī)械、物理、微電子、化工或其他半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè)；
2、具有1年以上的化合物半導(dǎo)體晶片的清洗工作經(jīng)驗(yàn)；
3、有碳化硅襯底或外延片的清洗工作經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先。
福利待遇：
周末雙休、包食宿、五險(xiǎn)一金、帶薪假期等
工作地點(diǎn)
東莞天域半導(dǎo)體科技有限公司(西南1門)
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職位發(fā)布者
陳仲詩(shī)/人事經(jīng)理
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廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司成立于2009年，位于廣東省東莞市松山湖國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)，是我國(guó)最早實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，也是國(guó)內(nèi)第一家獲得汽車質(zhì)量認(rèn)證(IATF 16949)的碳化硅半導(dǎo)體材料企業(yè)。經(jīng)過(guò)十余年的技術(shù)積累沉淀，公司已發(fā)展成為全球碳化硅外延片的主要供應(yīng)商，在產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)和客戶器件良率等方面已達(dá)國(guó)際領(lǐng)先水平，是我國(guó)碳化硅領(lǐng)域少數(shù)具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)之一。公司擁有國(guó)際最頂尖的碳化硅外延設(shè)備，憑借先進(jìn)的外延工藝為客戶提供N型、P型摻雜半導(dǎo)體材料，可制作650V~3300V、3300V~20000V單極和雙極功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等，這些功率器件廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、工業(yè)電源等領(lǐng)域。
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